تفاصيل المنتج
ترانزستور نيتريد الغاليوم (جالون هيمت)
نظرًا لمعدل توليد الحرارة المنخفض للغاية وقوة مجال الانهيار العالية لمواد نيتريد الغاليوم، فإن GaN HEMTs، وأجهزة الطاقة المعتمدة على نيتريد الغاليوم، لديها الحد الأدنى من انخفاض جهد التوصيل وفقدان التبديل. وهذا يسمح لإمدادات الطاقة القائمة على GaN HEMT بالعمل عند ترددات تبديل تتجاوز 1 ميجاهرتز، باستخدام بطاريات صغيرة-حجم مكونات تخزين الطاقة لتحقيق كثافة طاقة عالية للغاية. لذلك، تتمتع GaN HEMTs بمجموعة واسعة من التطبيقات في مجالات الإلكترونيات الاستهلاكية وإمدادات طاقة تكنولوجيا المعلومات.
سابق: ترانزستور نيتريد الغاليوم (جالون هيمت)
التالي: لا أكثر