Силициев карбид поле-ефектен транзистор (SiC MOSFET)

Силициев карбид поле-ефектен транзистор (SiC MOSFET)
Появата и широкото приложение на SiC MOSFET доведоха до дълбока технологична революция в индустриите на силовите полупроводници и силовата електроника. Отличните характеристики на SiC MOSFET по отношение на съпротивление при включване, загуба при превключване, висока-температурна работа и топлопроводимост значително подобряват ефективността на преобразуване и плътността на мощността на силовите електронни системи и намаляват общата цена на системата. Следователно, в автомобилни приложения, промишлени приложения, комуникационни захранвания и центрове за данни, SiC MOSFET постепенно заместват традиционния силиций-базирани захранващи устройства. Painjie Semiconductor има маса-произвежда отделни продукти за устройства на множество платформи за напрежение, включително 650V, 1200V и 1700V, и разполага с пълен продуктов каталог в различни токови капацитети и форми на опаковане, предоставяйки на клиентите широк набор от възможности за избор.