Detaily produktu
Galliumnitridový tranzistor (GaN HEMT)
Vzhledem k extrémněnízké rychlosti vytváření tepla a vysoké průrazné síle pole materiálů znitridu galia mají GaN HEMT, výkonová zařízenína bázinitridu galia, minimální úbytek vodivostníhonapětí a spínací ztráty. To umožňuje spínacímnapájecím zdrojům založenýmna GaN HEMT pracovat při spínacích frekvencích přesahujících 1 MHz při použití malých-dimenzované komponenty pro ukládání energie pro dosažení extrémně vysoké hustoty výkonu. Proto mají GaN HEMT širokou škálu aplikací v oblasti spotřební elektroniky anapájení IT.
Předchozí: