Detaily produktu
Vysoce výkonný karbid křemíku SiC FET poskytuje první-třída rychlost spínání,nižší spínací ztráty, vyšší účinnost, standardní průchozí-balení do otvoru a povrchové montáže s vynikajícímináklady-účinnost. Tyto FETy jsou založenyna jedinečné kaskádové konfiguraci, kde je vysoká-výkon Rychlé SiC JFETy jsou spolu s kaskádovými optimalizovanými Si MOSFETy pro dosažení standardního provozu SiC zařízení řízeného hradlem.
Předchozí:
další: SiC FET