Produktoplysninger
Galliumnitrid transistor (GaN HEMT)
På grund af den ekstremt lave varmeudviklingshastighed og højenedbrydningsfeltstyrke af galliumnitridmaterialer, har GaN HEMT'er, kraftenheder baseret på galliumnitrid, minimalt ledningsspændingsfald og switchtab. Dette gør det muligt for GaN HEMT-baserede koblingsstrømforsyninger at fungere ved koblingsfrekvenser på over 1MHz ved brug af små-størrelse energilagringskomponenter for at opnå ekstrem høj effekttæthed. Derfor har GaN HEMT'er en bred vifte af applikationer inden for forbrugerelektronik og IT-strømforsyning.
Tidligere: Galliumnitrid transistor (GaN HEMT)
Næste: Ikke mere