Siliciumkarbidmodul (SiC MODUL)
Ved anvendelse af høj-power power elektroniske omformere, power moduler er blevet den almindelige løsning i branchen på grund af deres høje integration og gode varmeafledningsevne. Sammenlignet med silicium-baseret halvledereffektenheder, siliciumcarbid MOSFET'er har betydelige fordele med hensyn til ledningstab, switching tab, maksimal driftstemperatur for overgangen og termisk ledningsevne. Derfor har strømmoduler baseret på siliciumcarbid MOSFET'er fået stor opmærksomhed fra industrien i de seneste år. Den vellykkede anvendelse af siliciumcarbid-kraftmoduler i elektriske køretøjer øger ikke kun rækkevidden af elektriske køretøjer, men forbedrer også den overordnede pålidelighed af elektriske køretøjer. I mellemtiden har siliciumkarbidkraftmoduler også potentiel konkurrenceevne og anvendelsesværdi i industrielle applikationer såsom solceller, energilagring, strømsystemer osv.
Tidligere: Ikke mere