Produktdetails
Galliumnitrid-Transistor (GaN HEMT)
Aufgrund der extrem geringen Wärmeerzeugungsrate und der hohen Durchbruchfeldstärke von Galliumnitrid-Materialien weisen GaN-HEMTs, Leistungsbauelemente auf Galliumnitridbasis, einen minimalen Leitungsspannungsabfall und Schaltverlust auf. Dies ermöglicht den Betrieb von GaN-HEMT-basierten Schaltnetzteilen mit Schaltfrequenzen von mehr als 1 MHz bei geringem Stromverbrauch-große Energiespeicherkomponenten, um eine extrem hohe Leistungsdichte zu erreichen. Daher haben GaN-HEMTs ein breites Anwendungsspektrum in den Bereichen Unterhaltungselektronik und IT-Stromversorgung.
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