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Siliziumkarbiddiode (SiC SBD)
Die Reverse-Recovery-Ladung von SiC SBD (Siliziumkarbid-Schottky-Diode) ist viel kleiner als die ähnlicher Siliziumdioden, und SiC-SBD kann bei höheren Sperrschichttemperaturen betrieben werden. Daher kann SiC SBD Sperrverzögerungsverluste und Schaltgeräusche in Schaltnetzteilen erheblich reduzieren und den Umwandlungswirkungsgrad, die Gesamtleistungsdichte und die Zuverlässigkeit von Schaltnetzteilen verbessern. Die hervorragenden Eigenschaften von SiC SBD können die Gesamtkosten leistungselektronischer Systeme erheblich senken.
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