Siliziumkarbid-Feld-Effekttransistor (SiC-MOSFET)

Siliziumkarbid-Feld-Effekttransistor (SiC-MOSFET)
Das Aufkommen und die weit verbreitete Anwendung von SiC-MOSFETs haben eine tiefgreifende technologische Revolution in der Leistungshalbleiter- und Leistungselektronikindustrie mit sich gebracht. Die hervorragenden Eigenschaften von SiC-MOSFET in Bezug auf Einschaltwiderstand, Schaltverlust und hohe-Temperaturbetrieb und Wärmeleitfähigkeit verbessern die Umwandlungseffizienz und Leistungsdichte leistungselektronischer Systeme erheblich und senken die Gesamtkosten des Systems. Daher ersetzen SiC-MOSFETs in Automobilanwendungen, Industrieanwendungen, Kommunikationsstromversorgungen und Rechenzentrennach undnach traditionelles Silizium-basierte Leistungsgeräte. Painjie Semiconductor hat Masse-produziert diskrete Geräteprodukte auf mehreren Spannungsplattformen, einschließlich 650 V, 1200 V und 1700 V, und verfügt über einen vollständigen Produktkatalog mit unterschiedlichen Strombelastbarkeiten und Verpackungsformen, der Kunden eine umfassende Auswahl bietet.