Siliziumkarbid-Modul (SiC-MODUL)

Siliziumkarbid-Modul (SiC-MODUL)
Bei der Anwendung von hoch-Leistungselektronische Leistungswandler und Leistungsmodule sind aufgrund ihrer hohen Integration und guten Wärmeableitungsleistung zur gängigen Lösung in der Branche geworden. Im Vergleich zu Silizium-Siliziumkarbid-MOSFETs auf Basis von Halbleiter-Leistungsbauelementen bieten erhebliche Vorteile hinsichtlich Leitungsverlust, Schaltverlust, maximaler Betriebssperrschichttemperatur und Wärmeleitfähigkeit. Daher haben Leistungsmodule auf Basis von Siliziumkarbid-MOSFETs in den letzten Jahren große Aufmerksamkeit in der Industrie erhalten. Der erfolgreiche Einsatz von Siliziumkarbid-Leistungsmodulen in Elektrofahrzeugen erhöhtnichtnur die Reichweite von Elektrofahrzeugen, sondern verbessert auch die Gesamtzuverlässigkeit von Elektrofahrzeugen. Mittlerweile haben Siliziumkarbid-Leistungsmodule auch potenzielle Wettbewerbsfähigkeit und Anwendungswert in industriellen Anwendungen wie Photovoltaik, Energiespeicherung, Stromversorgungssystemen usw.