tuotteen yksityiskohdat
Galliumnitriditransistori (GaN HEMT)
Galliumnitridimateriaalien äärimmäisen alhaisen lämmöntuottonopeuden ja korkean läpilyöntikentän voimakkuuden vuoksi galliumnitridiin perustuvilla teholaitteilla GaN HEMT:illä on minimaalinen johtavuusjännitehäviö ja kytkentähäviö. Tämän ansiosta GaN HEMT -pohjaiset hakkuriteholähteet voivat toimia yli 1 MHz:n kytkentätaajuuksilla käyttämällä pieniä-mitoitettuja energian varastointikomponentteja erittäin suuren tehotiheyden saavuttamiseksi. Siksi GaN HEMT:illä on laaja valikoima sovelluksia kulutuselektroniikan ja IT-virransyötön aloilla.
Edellinen: Ei enempää
Seuraava: Galliumnitriditransistori (GaN HEMT)