termék leírás
Gallium-nitrid tranzisztor (GaN HEMT)
A gallium-nitrid anyagok rendkívül alacsony hőtermelési sebessége ésnagy áttörési térerőssége miatt a GaN HEMT-ek, a gallium-nitrid alapú teljesítményeszközök minimális vezetési feszültségeséssel és kapcsolási veszteséggel rendelkeznek. Ez lehetővé teszi, hogy a GaN HEMT alapú kapcsolóüzemű tápegységek 1MHz-et meghaladó kapcsolási frekvencián működjenek, kis igénybevétellel-méretű energiatároló alkatrészek a rendkívülnagy teljesítménysűrűség elérése érdekében. Ezért a GaN HEMT-k széleskörű alkalmazási körrel rendelkeznek a fogyasztói elektronika és az IT-tápellátás területén.
Előző: Gallium-nitrid tranzisztor (GaN HEMT)
Következő: Nem több