Szilícium-karbid mező-hatás tranzisztor (SiC MOSFET)

Szilícium-karbid mező-hatás tranzisztor (SiC MOSFET)
A SiC MOSFET-ek megjelenése és széles körű alkalmazása mélyreható technológiai forradalmat hozott az erősáramú félvezető- és teljesítményelektronikai iparban. A SiC MOSFET kiváló jellemzői bekapcsolási ellenállás, kapcsolási veszteség, magas-A hőmérsékleti működés és a hővezető képességnagymértékben javítja a teljesítményelektronikai rendszerek átalakítási hatékonyságát és teljesítménysűrűségét, és csökkenti a rendszer összköltségét. Ezért az autóipari alkalmazásokban, az ipari alkalmazásokban, a kommunikációs tápegységekben és az adatközpontokban a SiC MOSFET-ek fokozatosan felváltják a hagyományos szilíciumot.-alapú tápegységek. A Painjie Semiconductornak tömege van-különálló készüléktermékeket gyártott több feszültségű platformon, beleértve a 650 V-ot, 1200 V-ot és 1700 V-ot, és teljes termékkatalógussal rendelkezik különböző áramszállító kapacitással és csomagolási formákkal, amelyek széles választékot kínálnak az ügyfelek számára.