Szilícium-karbid modul (SiC MODUL)
Alkalmazásában a magas-A teljesítményelektronikai átalakítók, a teljesítménymodulok magas integrációjuk és jó hőelvezetési teljesítményük miatt az iparág fő megoldásává váltak. A szilíciumhoz képest-alapú félvezető tápegységek, a szilícium-karbid MOSFET-ek jelentős előnyökkel rendelkeznek a vezetési veszteség, a kapcsolási veszteség, a maximális üzemi csomóponti hőmérséklet és a hővezető képesség tekintetében. Ezért az elmúlt években a szilícium-karbid MOSFET-ekre épülő teljesítménymodulok széleskörű figyelmet kaptak az iparágban. A szilícium-karbid teljesítménymodulok sikeres alkalmazása elektromos járművekbennemcsak az elektromos járművek hatótávolságátnöveli, hanem az elektromos járművek általános megbízhatóságát is javítja. Eközben a szilícium-karbid teljesítménymodulok potenciális versenyképességgel és alkalmazási értékkel is bírnak az ipari alkalmazásokban, mint például a fotovoltaikában, az energiatárolásban, az energiarendszerekben stb.
Előző: Szilícium-karbid modul (SiC MODUL)
Következő: Szilícium-karbid modul (SiC MODUL)