Siliciumcarbide veld-effecttransistor (SiC MOSFET)

Siliciumcarbideveld-effecttransistor (SiC MOSFET)
De opkomst en wijdverbreide toepassing van SiC-MOSFET's hebben een diepgaande technologische revolutie teweeggebracht in de vermogenshalfgeleider- en vermogenselektronica-industrie. De uitstekende eigenschappen van SiC MOSFET in termen van weerstand, schakelverlies, hoog-temperatuurwerking en thermische geleidbaarheid verbeteren de conversie-efficiëntie en vermogensdichtheid van vermogenselektronische systemen aanzienlijk, en verlagen de totale kosten van het systeem. Daarom vervangen SiC MOSFET's in automobieltoepassingen, industriële toepassingen, communicatievoedingen en datacenters geleidelijk de traditionele silicium-gebaseerde energieapparaten. Painjie Semiconductor heeft massa-produceerde discrete apparaatproducten op meerdere spanningsplatforms, waaronder 650V, 1200V en 1700V, en heeft een complete productcatalogus in verschillende stroomdraagvermogens en verpakkingsvormen, waardoor klanten een uitgebreid scala aan keuzes krijgen.