Transistor denitreto de gálio (GaN HEMT)

Transistor denitreto de gálio (GaN HEMT)
Devido à taxa de geração de calor extremamente baixa e à alta resistência do campo de ruptura dos materiais denitreto de gálio, os GaN HEMTs, dispositivos de energia baseados emnitreto de gálio, apresentam queda de tensão de condução e perda de comutação mínimas. Isso permite que fontes de alimentação de comutação baseadas em GaN HEMT operem em frequências de comutação superiores a 1 MHz, usando pequenas-componentes de armazenamento de energia dimensionados para atingir densidade de potência extremamente alta. Portanto, os GaN HEMTs têm uma ampla gama de aplicaçõesnas áreas de eletrônicos de consumo e fornecimento de energia de TI.