Campo de carboneto de silício-transistor de efeito (MOSFET de SiC)

Campo de carboneto de silício-transistor de efeito (MOSFET de SiC)
O surgimento e a ampla aplicação dos MOSFETs de SiC trouxeram uma profunda revolução tecnológica para as indústrias de semicondutores de potência e de eletrônica de potência. As excelentes características do SiC MOSFET em termos de resistência, perda de comutação, alta-a operação em temperatura e a condutividade térmica melhoram muito a eficiência de conversão e a densidade de potência dos sistemas eletrônicos de potência e reduzem o custo geral do sistema. Portanto, em aplicações automotivas, aplicações industriais, fontes de alimentação de comunicação e data centers, os MOSFETs de SiC estão gradualmente substituindo os tradicionais silício-dispositivos de energia baseados. Painjie Semiconductor tem massa-produziu produtos de dispositivos discretos em múltiplas plataformas de tensão, incluindo 650V, 1200V e 1700V, e possui um catálogo completo de produtos em diferentes capacidades de transporte de corrente e formas de embalagem, oferecendo aos clientes uma ampla gama de opções.