информация о продукте
Транзистор из нитрида галлия (GaN HEMT)
Благодаря чрезвычайно низкой скорости тепловыделения и высокой напряженности поля пробоя материалов из нитрида галлия GaN HEMT, силовые устройства на основе нитрида галлия, имеют минимальное падение напряжения проводимости и потери на переключение. Это позволяет импульсным источникам питания на основе GaN HEMT работать на частотах переключения, превышающих 1 МГц, используя небольшие-компоненты хранения энергии для достижения чрезвычайно высокой плотности мощности. Таким образом, GaN HEMT имеют широкий спектр применения в области бытовой электроники и электропитания для информационных технологий.
Предыдущий: Транзистор из нитрида галлия (GaN HEMT)
Следующий: Больше не надо