Transistor denitruro de galio (HEMT de GaN)

Transistor denitruro de galio (HEMT de GaN)
Debido a la tasa de generación de calor extremadamente baja y la alta intensidad del campo de ruptura de los materiales denitruro de galio, los HEMT de GaN, dispositivos de energía basados ​​ennitruro de galio, tienen una caída de voltaje de conducción y una pérdida de conmutación mínimas. Esto permite que las fuentes de alimentación conmutadas basadas en GaN HEMT funcionen a frecuencias de conmutación superiores a 1 MHz, utilizando pequeñas-Componentes de almacenamiento de energía de gran tamaño para lograr una densidad de potencia extremadamente alta. Por lo tanto, los HEMT de GaN tienen una amplia gama de aplicaciones en los campos de la electrónica de consumo y el suministro de energía para TI.