Detalles de producto
El FET SiC de carburo de silicio de alto rendimiento proporciona la primera-velocidad de conmutación de clase, menores pérdidas de conmutación, mayor eficiencia, estándar a través-Embalaje de montaje en superficie y orificio, con excelente costo.-eficacia. Estos FET se basan en una configuración en cascada única, donde los altos-Los JFET rápidos de SiC de rendimiento están empaquetados conjuntamente con MOSFET de Si optimizados en cascada para lograr el funcionamiento estándar del dispositivo de SiC impulsado por puerta.
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