Produktinformation
Galliumnitridtransistor (GaN HEMT)
På grund av den extremt låga värmealstringshastigheten och höga genombrottsfältstyrkan hos galliumnitridmaterial har GaN HEMTs, kraftenheter baserade på galliumnitrid, minimalt ledningsspänningsfall och omkopplingsförluster. Detta gör det möjligt för GaN HEMT-baserade switchade strömförsörjningar att arbeta vid switchningsfrekvenser som överstiger 1MHz, med små-energilagringskomponenter i storlek för att uppnå extremt hög effekttäthet. Därför har GaN HEMTs ett brett utbud av applikationer inom hemelektronik och IT-strömförsörjning.
Tidigare: Galliumnitridtransistor (GaN HEMT)
Nästa: Inte mer