Thông tin chi tiết sản phẩm
Transistor galinitrit (GaN HEMT)
Do tốc độ sinhnhiệt cực thấp và cường độ trường đánh thủng cao của vật liệu gaNnitrit, GaN HEMT, thiết bị điện dựa trên galinitrit, có độ sụt điện áp dẫn và tổn hao chuyển mạch ở mức tối thiểu. Điềunày cho phép các bộnguồn chuyển mạch dựa trên GaN HEMT hoạt động ở tần số chuyển mạch vượt quá 1 MHz, sử dụng công suấtnhỏ-các thành phần lưu trữnăng lượng có kích thước để đạt được mật độnăng lượng cực cao. Do đó, GaN HEMT cónhiều ứng dụng trong lĩnh vực điện tử tiêu dùng và cung cấpnăng lượng CNTT.
Trước: Transistor galinitrit (GaN HEMT)
Kế tiếp: Không cònnữa