Transistor ennitrure de gallium (GaN HEMT)
En raison du taux de génération de chaleur extrêmement faible et de l'intensité de champ de claquage élevée des matériaux ennitrure de gallium, les GaN HEMT, dispositifs d'alimentation à base denitrure de gallium, présentent une chute de tension de conduction et une perte de commutation minimales. Cela permet aux alimentations à découpage basées sur GaN HEMT de fonctionner à des fréquences de commutation supérieures à 1 MHz, en utilisant de petits-composants de stockage d'énergie dimensionnés pour atteindre une densité de puissance extrêmement élevée. Par conséquent, les GaN HEMT ont un large éventail d’applications dans les domaines de l’électronique grand public et de l’alimentation électrique informatique.
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