Module en carbure de silicium (MODULE SiC)
Dans l'application de haute-Convertisseurs électroniques de puissance, les modules de puissance sont devenus la solution dominante dans l'industrie en raison de leur intégration élevée et de leurs bonnes performances de dissipation thermique. Comparé au silicium-Dispositifs d'alimentation à base de semi-conducteurs, les MOSFET en carbure de silicium présentent des avantages significatifs en termes de perte de conduction, de perte de commutation, de température de jonction de fonctionnement maximale et de conductivité thermique. Par conséquent, les modules de puissance basés sur des MOSFET en carbure de silicium ont reçu une grande attention de la part de l'industrie ces dernières années. L'application réussie des modules de puissance en carbure de silicium dans les véhicules électriques augmentenon seulement l'autonomie des véhicules électriques, mais améliore également la fiabilité globale des véhicules électriques. Parallèlement, les modules de puissance en carbure de silicium présentent également un potentiel de compétitivité et une valeur d'application dans les applications industrielles telles que le photovoltaïque, le stockage d'énergie, les systèmes électriques, etc.
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