製品詳細
窒化ガリウムトランジスタ (GaN HEMT)
窒化ガリウム材料の極めて低い発熱率と高い絶縁破壊電界強度により、窒化ガリウムをベースとしたパワーデバイスである GaN HEMT は、伝導電圧降下とスイッチング損失を最小限に抑えます。これにより、GaN HEMT ベースのスイッチング電源は、小型の電源を使用して 1MHz を超えるスイッチング周波数で動作できるようになります。-非常に高い電力密度を達成できるサイズのエネルギー貯蔵コンポーネント。したがって、GaN HEMTは家電製品やIT電源の分野で幅広い用途に使用されています。
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